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目前在ALD沉积工艺中，为了能得到二元或三元薄膜，往往通过将不同前驱体交替通入反应腔体，比如沉积Hf-Al-O薄膜，则通过交替通入TEMAH-H2O-TMA-H2O-TEMAH...，并形成叠层薄膜.我司科研人员通过不断摸索，配制出了不同系列的新型前驱体，可用于沉积二元或三元单层薄膜,而非二元叠层。二元或三元单层薄膜的获取，在催化应用领域，可通过提高或抑制效应，实现我们所需的催化活性。在集成电路应用领域，可通过调节介电常数等，而实现我们预想的电学性能。欢迎咨询。。。。。。
时间：2019-12-03
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