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ALD前驱体-(EtCp) Ti (NMe₂)₃

采用 (EtCp) Ti (NMe₂)₃ 前驱体 + O₃/H₂O 双氧化剂 ALD 工艺，凭借分子结构优势改善传统钛源热稳差、沉积无选区的短板，原子级选择性制备 TiO₂ 薄膜，成膜致密、工艺窗口宽，适配微电子高 k 介质量产。相关氧化机理对比研究刊载于顶刊 Chemistry of Materials。我司已研发成功 (EtCp) Ti (NMe₂)₃ 并可提供少量试用，欢迎咨询。

时间：2026-06-05