ALD前驱体-二茂镁(MgCp₂)_ALD/CVD前驱体_ALD/CVD源瓶_MLD前驱体_贵金属催化剂_实验室仪器

MgO 薄膜表面平整、致密均匀、无针孔，具有高介电常数、低漏电流特性，适用于先进 MOSFET、MIM 电容及 BEOL 兼容器件。东南大学使用我司二茂镁前驱体研究沉积温度、前驱体脉冲时间、循环次数对薄膜生长、表面形貌、结晶性能及电学特性的影响。MgF₂ 薄膜表面平整光滑、呈非晶态、低散射，具备超低折射率、高可见光透过率、优异化学稳定性，适用于光学增透膜、紫外光学元件、激光系统与显示面板减反层。厦门理工学院使用我司二茂镁（Mg (Cp)₂）前驱体，系统研究 PEALD 制备中沉积温度对薄膜生长机制、表面形貌、化学配比及光学性能的影响，确定 125–150 ℃ 为理想自限制 ALD 窗口，实现折射率≈1.37、RMS≈0.6 nm、双面增透透过率达 97.2 % 的高性能增透涂层。现清华大学等高校也在使用我司同系列二甲基二茂镁、二乙基二茂镁前驱体产品。