Ru 薄膜具有低电阻率、高抗电迁移、高热稳定性、无需阻挡层、ALD 保形性好等优点，是5 nm 以下先进芯片互连与电极的理想材料。复旦大学使用我司二乙基二茂钌研究ALD工艺参数对钌薄膜导电特性的影响规律，并得出结论：325 ℃、前驱体脉冲时间5 s、氧气脉冲时间10 s，氮气吹扫时间20 s，方阻为18 Ω，获得最优电学性能。相关论文发表在功能材料与器件学报，2026，32 (1)：011207。
