采用 InCp+O₂等离子体 ALD，最小化氢掺入，可获得高质量超薄结晶 In₂O₃，具有迁移率高、阈值电压正、超稳定、全低温 ≤300℃、可用于 3D单片集成（M3D）的特点。北京大学深圳研究生院使用我司环戊二烯铟（InCp）产品+ O₂等离子体制备高质量氧化铟，再用 CF₄等离子体氟掺杂，形成 FoFi 缺陷钝化氧空位，首次实现高迁移率 + 超高稳定性并存。相关论文发表在Advanced Functional Materials中。
