现在原子层沉积（ALD）技术与其他薄膜沉积技术（化学气相沉积/物相沉积或者溅射技术）相比，有很多。原子层沉积技术是一种表面控制的方法，其他沉积技术可以总结为“源控制”的方法。这种“源控制”沉积方法中前驱体在到达基片表面之前就已经产生了化学反应，因此所沉积的薄膜不一定均匀和具有保形性，也不能很好的在小面积的表面或者在具有高深宽比结构上沉积薄膜。例如：硅片中的深壕（当下和以后电子元件制作中的一个重要组件），这样薄膜上就会有裂缝和针点，如果是在防腐蚀涂层和医学移植体涂层或者密封剂层的制造等应用中，就会导致沉积的薄膜报废。

   那么传统的薄膜沉积方法也不可能做到原子层级别的结构和厚度上的控制。ALD技术也可以用于提高其他方法所沉积的薄膜质量，比如用物相沉积方法（PVD）可以很容易快速的沉积出相对较厚的薄膜，ALD技术已经成功的被用来在这些薄膜上沉积“密封层”，填补下面的PVD薄膜上可能出现的针孔和裂缝。ALD技术相对于最基础的离子轰击镀膜方法对材料表面也更温和。