先进芯片被广泛应用于3C产品、工业、航空航天及军事装备领域，不仅关系到社会进步和我们每个人的生活，更关系到国家安全和发展。

现在我国的芯片制造产业呈现出奋起直追的态势，这种状态不仅仅体现在高精度芯片的制造装备上，同时也大量体现在了基础材料领域。

简称ALD是一种基于气态前驱体在沉积表面发生化学吸附的纳米薄膜沉积技术，通过自限制性的前驱体交替饱和反应获得厚度、组分、形貌及结构在纳米尺度上高度可控的薄膜。ALD技术的诞生最早可以追溯到20世纪六、七十年代，由芬兰科学家提出，并用于多晶荧光材料ZnS、Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料用于平板显示器。

上世纪90代中期，硅半导体的发展使得原子沉积的优势真正得以体现，掀起了人们对 ALD研究的热潮。经过将近30年的发展，ALD技术在催化、半导体、、电池、光学、生物医学和航空航天领域等众多领域都发挥着十分重要的作用，得到了成功地应用，成为功能薄膜制备中的一项关键技术。

ALD是一种精密可控的薄膜生长技术。ALD技术将物质以单原子膜的形式一层一层镀在基底表面的方法。与普通的化学沉积有相似之处，但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子，对薄膜厚度可以精确控制在单个纳米级别。该方法对基材不设限，尤其适用于具有高深宽比或复杂三维结构的基材。